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基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
2364
2018/03/16
基本信息
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成果类型
高等院校
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委托机构
微电子学院
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成果持有方
微电子学院
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行业领域
三网融合
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项目名称
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
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知识产权
发明专利
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项目简介
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
交易信息
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意向交易额
面议
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挂牌时间
2016/02/08
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委托机构
微电子学院
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联系人姓名
权晓阳
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联系人电话
029-89184706
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联系人邮箱
547269666@qq.com
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咨询成果
发布成果