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一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法

3402018/08/17
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域 电子元器件
  • 项目名称 一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极,N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极,靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷,形成凹栅结构,栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区,P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层,凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。
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交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2018/01/12
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 联系人邮箱 745490733@qq.com
  • 分享至:

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