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基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 微电子
- 项目名称 基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法,包括:1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数;2)确定移相器等效电路参数;3)确定移相器的位数k;4)确定移相器的标准电容桥高度;5)给出初始电容桥的偏移量;6)利用单个电容桥的机电耦合模型,计算单个电容桥产生的相移量;7)计算移相器的相移量;8)计算移相器的偏差量;9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型,直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响,快速给出合理的电容桥结构公差精度,降低加工成本和难度,缩短研制周期。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/01/16
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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